​PECVD 

PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) 是指 等离子体增强化学的气相沉积法。这种方法有很多优点，比如成膜质量好等。比如：在PECVD工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子，就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应。衬底温度通常保持在350℃左右就可以得到良好的SiOx或SiNx薄膜，可以作为集成电路最后的钝化保护层，提高集成电路的可靠性。